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Industria

SK hynix inicia en Indiana una planta de memoria de alto rendimiento

La empresa prevé invertir más de $4.000 millones en empaquetado avanzado y comenzar la producción masiva durante el segundo semestre de 2029.

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Una técnica inspecciona una placa utilizada en el desarrollo de componentes electrónicos
Imagen de referencia. Foto: Willquezada / Pexels.

SK hynix inició la construcción de una planta de empaquetado avanzado de memoria en West Lafayette, Indiana, con una inversión prevista superior a $4.000 millones. La ceremonia se celebró el 27 de agosto y la empresa publicó los detalles el día 28.

La instalación procesará memoria de alto ancho de banda, conocida como HBM, un componente que conecta grandes volúmenes de datos con procesadores especializados. SK hynix espera completar el cuarto limpio en octubre de 2028 e iniciar la producción masiva durante el segundo semestre de 2029.